于威
,
郭亚平
,
杨彦斌
,
郭少刚
,
赵一
,
傅广生
功能材料
采用铝诱导非晶硅薄膜晶化技术制备了多晶硅薄膜,并研究了多晶硅的成核和生长特性。非晶硅薄膜采用等离子体增强化学气相沉积法制备,其表面沉积铝薄膜后经不同温度的氮氛围退火处理。结果表明,退火后的硅薄膜层与铝层发生置换,所生长的多晶硅颗粒的平均尺寸约为150nm。X射线衍射分析结果揭示,薄膜的晶向显著依赖于退火温度,较低温度下,铝诱导晶化速率较慢,薄膜的优化晶向与非晶硅薄膜中团簇的初始原子排列趋势紧密相关。而较高温度下,铝诱导晶化促使多晶硅（111）择优成核及随后的固相生长。
关键词:
铝诱导晶化法
,
多晶硅薄膜
,
低温退火
,
定向生长
曾冬梅
,
慕银银
,
潘松海
,
刘皖
,
陈飞
人工晶体学报
采用磁控溅射法制备CdZnTe先驱薄膜/金属Al膜的层叠结构,利用铝诱导技术制备CdZnTe薄膜.通过原子力显微镜、X射线衍射、Raman光谱仪和半导体特性分析系统,研究了铝膜溅射功率对铝诱导CdZnTe薄膜结构及性能的影响.结果表明:随着铝膜溅射功率的增加,铝诱导CdZnTe薄膜表面的薄膜结晶质量、晶粒尺寸和薄膜电阻率先增大后减小.铝诱导晶化的效果与铝膜溅射功率有关,当铝膜溅射功率达到100 W,CdZnTe薄膜的晶化诱导效果最显著,薄膜结晶质量最好,晶粒尺寸最大.
关键词:
CdZnTe薄膜
,
磁控溅射
,
溅射功率
,
铝诱导结晶
王宙
,
曹健
,
室谷贵之
,
付传起
功能材料
采用真空蒸镀的方法在玻璃衬底上沉积1层非晶硅薄膜,再通过铝诱导晶化的方法制备出晶粒分布较均匀、晶粒尺寸0.5～5μm、晶化率达到89%的多晶硅薄膜。研究了衬底距离、衬底温度、退火温度对薄膜表面形貌、晶粒尺寸和分布及晶化率的影响。结果表明适中的衬底距离下得到的薄膜晶粒分布均匀,表面平整度好,薄膜厚度较大。薄膜的晶化率随着衬底温度和退火温度的提高而增大;随着退火温度的进一步提高,薄膜的晶化率达到最大值然后降低。
关键词:
多晶硅薄膜
,
铝诱导晶化
,
衬底温度
,
退火温度
唐正霞
,
沈鸿烈
,
解尧
,
鲁林峰
,
江枫
,
沈剑沧
功能材料
以Corning Eagle 2000玻璃为衬底,用磁控溅射法制备了glass/a-Si/SiO_2/Al叠层结构,于Ar气保护下退火,制备了具有很强的(111)择优取向,最大晶粒尺寸达100μm的铝诱导晶化多晶硅薄膜.研究结果表明,非晶硅的氧化时间越长,所制备的多晶硅晶粒尺寸越大,当氧化时间达约47h后,再延长氧化时间对薄膜性能的影响不明显.还发现退火温度越高,晶粒越小,但是反应速率越快.
关键词:
薄膜
,
多晶硅
,
铝诱导晶化
,
氧化时间
唐正霞
,
沈鸿烈
,
江丰
功能材料
以康宁Eagle 2000玻璃为衬底,用磁控溅射法制备了不同硅铝厚度比的非晶硅/二氧化硅/铝叠层,在氩气保护下于450℃退火一定时间,制备出铝诱导多晶硅薄膜。用Raman光谱和紫外反射光谱讨论了硅铝厚度比对薄膜结晶性能的影响。结果表明,硅铝厚度比对多晶硅薄膜的结晶性能有显著影响,最佳硅铝厚度比为5∶1。
关键词:
薄膜
,
多晶硅
,
铝诱导晶化
,
厚度比
